Бывший инженер Samsung по фамилии Чон, приговоренный в апреле 2026 года к семи годам тюрьмы, раскрыл детали стратегии CXMT. По его словам, на старте компания не обладала ни исследовательскими мощностями, ни намерением создавать технологический процесс самостоятельно. В распоряжении злоумышленников оказался документ из 600 пунктов, описывающий нюансы производства памяти по 18-нанометровой норме: от температурных режимов до параметров имплантации примесей в кремниевые пластины.
В разделе ИТ-бизнес
Успех китайской CXMT оказался построен на краже технологий Samsung
Стремительный взлет ChangXin Memory Technologies на мировом рынке DRAM стал возможен благодаря планомерному хищению интеллектуальной собственности. Согласно показаниям осужденного инженера, руководство компании изначально отказалось от собственных разработок, сделав ставку на нелегальное копирование производственных регламентов южнокорейского гиганта, полученных через завербованных сотрудников с многолетним стажем.
Хотя технический регламент не заменяет проектирование архитектуры транзисторов, он позволяет сократить годы разработок, которые обычно занимают у индустриальных новичков до пяти лет. В 2019 году CXMT запустила массовое производство DDR4, а к 2023 году освоила 18-нанометровый процесс. Сегодня китайский производитель успешно конкурирует с Samsung, Micron и SK Hynix, хотя еще пять лет назад его доля в мировой индустрии DRAM не превышала 2%.
Комментарии (0)
Пока нет комментариев. Будьте первым!